苏州银邦电子科技有限公司【诚信商家】一家专业制造整流二极管，可控硅，整流桥，模块以及出口型二极管，可控硅。销售，原装进口的IR（美国国际整流器）/VISHAY(威士），SEMIKRON（西门康），MITSUBISHI（三菱），INFINEON（英飞凌）,SANREX(三社），IXYS(艾克塞斯），NELL(尼尔），FUJU(富士），WESTCODE（西玛），TOSHIBA（东芝），BUSSMANN(巴斯曼)，Siemens(西门子)等国际知名品牌的整流管，可控硅，整流桥，模块，IGBT系类。相关更多产品欢迎点击
英飞凌600V系列：
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1 IGBT额定电压的选择
三相380V输入电压经过整流和滤波后，直流电压的值：
在开关工作的条件下，fGBT的额定电压一般要求高于直流母线电压的两倍，根据IGBT规格的电压等级，选择1 电压等级的IGBT。
2 IGBT额定电流的选择
以30kW器为例，负载电流约为79A，由于负载电气启动或加速时，电流过载，一般要求1分钟的时间内，承受1.5倍的过流，择负载电流约为 ，建议选择电流等级的IGBT。
3 IGBT开关参数的选择
的开关频率一般小于10 kH Z，而在实际工作的过程中，fGBT的通态损耗所占比重比较大，建议选择低通态型IGBT，以30 kW ，逆变频率小于10kH z的变频器为例，选择IGBT的开关参数见表1。
4 影响IGBT可靠性因素
1）栅电压。
IGBT工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，用到20V， 而棚电压与栅极Rg有很大关系，在设计IGBT驱动电路时， 参考IGBT Datasheet中的额定Rg值，设计合适驱动参数，保证合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也咯小。
在桥式电路和大功率应用情况下，为了避免干扰，在IGBT关断时，栅极加负电压，一般在-5- 15V，保证IGBT的关断，避免Miller效应影响。
2）Miller效应。
为了降低Miller效应的影响，在IGBT栅驱动电路中采用改进措施：（1）开通和关断采用不同栅电阻Rg,on和Rg,off，确保IGBT的有效开通和关断；（2）栅源间加c，对Miller效应产生的电压进行能量泄放；（3）关断时加负栅压。在实际设计中，采用三者合理组合，对改进Mille r效应的效果更佳。
5 结束语
（1）IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件，也是逆变器中主要工作器件，合理选择IGBT是保证IGBT可靠工作的前提，同时，要根据三相逆变电路结构的特点，选择低通态型IGBT为佳。
（2）根据IGBT的棚特性。合理设计栅驱动结构， 保证IGBT有效的开通和关断， 降低Miller效应的影响。